1. 分辨率:高真空(二次電子)1.0nm at 30kV
                (背散射電子): 2.0 nm at 30 kV 
          低真空(低真空二次電子)﹕1.5 nm at 30 kV
2.放大倍數:1 to 1000000x 
3.真空系統:電子槍真空<3*10 -7Pa                     
           樣品室/低真空7-500Pa
4.加速電壓0.2kV to 30Kv 
5.電子束電流2pA—200nA
6.內部直徑: 340mm 
接口數: 20+ 
7.樣品臺行程:（5軸馬達控制） 
X=130mm——馬達控制 
Y=130mm——馬達控制 
Z=100mm——馬達控制 
R=360°連續--馬達控制 
T=-80°至+90°--馬達控制
最大樣品高度145mm.