系統規格：
波長范圍：350~850nm
入射角：30°~  90°
解析度：±0.01°
待測樣品尺寸：up to 200mm
精度：1200A SiO2標準片
厚度：（Tks）：±6A
折射率（N）：±0.01 at 632.8nm
重復性：1200A SiO2標準片
厚度(Tks)：±2.5A
折射率(N)：±0.005 at 632.8nm (5 times)
尺寸：140cm×50cm×60cm
應用：
太陽能電池
 SiNx減反膜工藝
 TiO2減反膜工藝
 復合SiNx減反膜工藝
SiO2鈍化工藝
 復合SiNx/ SiO2減反膜工藝
 SiO2掩膜工藝
TFT-LCD
 SIOx，SiNx，a-Si:H，N+a-Si…
SEMI
 High-k：AL2O3，SiO2，Si3N4，SiNx…
 LOW-k：SiOC，SiOF，SOG，BPSG…
OLED
 AlQ3，CuPc…
軟件特征：
整合量測、分析、計算     操作模式安全化     同步原始數據呈現
硬件特征：
高穩定性氙燈光源
高解析度光柵式單色儀
波長范圍：350~850nm
波長解析度：1nm，精度：0.5nm
三格林泰勒棱鏡偏振系統
波長：260~1800nm
消化比：＞105
發散角：≤3mrad
真空吸附載物臺
自動連續入射角（零度校正）
高分辨率光電倍增管探測器
波長范圍：185nm~900nm
暗電流：≤25 nA
自動電壓增益控制系統（Vmax：1100v）