名稱：氧化硅TEM窗口 
編號：氧化硅 
產品詳情：
透射電鏡（TEM）用氧化硅薄膜窗格
 
 
氧化硅與氮化硅薄膜窗格比較：
相比氮化硅薄膜，氧化硅薄膜更適合用于含氮樣本。在EDS研究中，如基片薄膜含氮，則會與樣本造成混淆。

樣本安置面：
對多數用戶來說，樣本應安置在薄膜窗格的“覆膜面”而非“蝕坑面”。但我們也知道在一些特殊情況下，蝕坑面也可安置樣本。除對樣本進行原子力顯微鏡（AFM）觀測外，蝕坑面本質上并非不可用于放置樣本。實際上，沒有一個顯微鏡的懸臂可以伸至蝕坑內“看清”薄膜表面。 
 
 
氧化硅薄膜窗特點：
 
清洗：采用等離子清洗，無有機物殘留，改善成像質量； 
均勻性：減少了不同區域的不均勻性； 
穩定性： 耐高溫，>1000℃； 
良好的化學穩定性：圖像分辨率和機械強度達到理想的平衡；
化學計量比的SiO2：可用于氮氣環境下的EDX分析；
 
氧化硅薄膜窗規格
 
窗口類型 薄膜厚度 窗口尺寸 框架尺寸 框架厚度 
 20nm 2x1陣列，100X1500µm Φ3mm 200µm  
40nm 2x1陣列，100X1500µm Φ3mm 200µm 
 20nm 3x3陣列，窗口100X100µm Φ3mm 200µm  
40nm 3x3陣列，窗口100X100µm Φ3mm 200µm 
 8nm 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個網格，網格大小70x70µm Φ3mm 200µm 
18nm 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個網格，網格大小60x60µm Φ3mm 200µm 
40nm 窗口0.5x0.5mm，氮化硅薄膜200nm；24個網格，網格大小50x50µm Φ3mm 200µm 

  
優點：
   SEM應用中，薄膜背景不呈現任何結構和特點。 
   x-射線顯微鏡中，裝載多個分析樣的唯一方法。 
   無氮
 
應用：
氧化硅薄膜應用范圍非常廣，甚至有時使不可能變為可能，但所有應用都有無氮要求（因樣本中有氮存在）： 
● 惰性基片可用于高溫環境下，通過TEM、SEM或AFM（某些情況下）對反應進行動態觀察。 
● 作為耐用（如“強力”）基片，首先在TEM下，然后在SEM下對同一區域進行“匹配”。 
● 作為耐用匹配基片，對AFM和TEM圖像進行比較。 
● 聚焦離子束（FIB）樣本的裝載，我們推薦使用多孔薄膜，而非不間斷薄膜。 
 
氧化硅薄膜TEM網格操作使用：
如果正確操作，氧化硅薄膜將會擁有非常好的性能。相反，若用工具直接接觸薄膜，則會即刻損壞薄膜。為防損壞，可用尖嘴鑷子小心夾取，就像夾取其他TEM網格一樣。  
 
使用前清潔：
    氧化硅薄膜窗格在使用前不需進行額外清潔。有時薄膜表面邊角處會散落個別氧化物或氮化物碎片。由于單片網格需要從整個硅片中分離，并對外框進行打磨，因此這些微小碎片不可避免。盡管如此，我們相信這些碎片微粒不會對您的實驗產生任何影響。 

    如果用戶確實需要對這些碎片進行清理，我們建議用H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機物，用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清潔金屬。 

    通常不能用超聲波清洗器清潔薄膜，因超聲波可能使其粉碎性破裂。