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公司基本資料信息
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項目名稱：2019年中國科學院半導體研究所科研儀器設備采購項目（第三批）
項目編號：OITC-G190330983
采購單位聯系方式：
采購單位：中國科學院半導體研究所
地址：北京市海淀區清華東路甲35號
聯系方式：010-82304941/010-82304907
代理機構聯系方式：
代理機構：東方國際招標有限責任公司
代理機構聯系人：010-68290507
代理機構地址：北京市海淀區清華東路甲35號
采購詳情如下：
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包號 |
貨物名稱 |
數量（臺/套） |
是否允許進口 |
預算（萬元） |
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1 |
厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺 |
1 |
是 |
398 |
|
2 |
硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機 |
1 |
是 |
505 |
各設備工藝技術規格詳情：
厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺
(1)氧化硅薄膜沉積
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*3.15.1.1折射率（1550nm下測量） |
1.44-1.52可調 |
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#3.15.1.2折射率均勻性 |
< +/-0.01 |
|
#3.15.1.3折射率重復性 |
< +/-0.01 |
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*3.15.1.4厚度 |
＞20μm |
|
3.15.1.5樣品尺寸 |
3英寸 |
|
3.15.1.6沉積速度 |
> 1500A/min |
|
#3.15.1.7片內厚度均勻性 |
< +/-3% |
|
3.15.1.7片與片厚度均勻性 |
< +/-5% |
|
3.15.1.9硅的應力 (以1微米薄膜厚度測試) |
< -300MPa 壓應力 |
(2)氮化硅薄膜沉積
|
#3.15.2.1折射率（1550nm下測量） |
1.8-2.2可調 |
|
#3.15.2.2折射率均勻性 |
< +/-0.01 |
|
3.15.2.3折射率重復性 |
< +/-0.01 |
|
3.15.2.4沉積速度 |
> 200A/min |
|
3.15.2.5樣品尺寸 |
3英寸 |
|
#3.15.2.6片內厚度均勻性 |
< +/-3% |
|
3.15.2.7片與片厚度均勻性 |
< +/-5% |
|
3.15.2.8硅的應力 (以1微米薄膜厚度測試) |
< 100MPa 伸應力 |
硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機
（1） 鈮酸鋰刻蝕工藝
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3.15.1.1刻蝕材料 |
鈮酸鋰 |
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3.15.1.2刻蝕結構 |
線寬100nm-1μm波導 |
|
3.15.1.3掩膜 |
>200nm厚Cr硬掩模。 所有刻蝕掩膜必須為挺直，側壁角度>80° |
|
3.15.1.4曝露面積 |
＞80% |
|
3.15.1.5刻蝕深度 |
300-700nm |
|
3.15.1.6刻蝕速度 |
>30nm/min |
|
*3.15.1.7片內刻蝕深度均勻性 |
<±3% |
|
#3.15.1.8片與片刻蝕深度均勻性 |
<±5% |
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*3.15.1.9對應硬掩模選擇比 |
>5:1 |
|
*3.15.1.10側壁傾角 |
>75° |
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*3.15.1.11側壁粗糙度 |
＜10nm |
（2） 氧化硅刻蝕工藝
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3.15.2.1刻蝕材料 |
氧化硅 |
|
3.15.2.2刻蝕結構 |
線寬5-10μm波導 |
|
3.15.2.3掩膜 |
>3um厚PR。 所有刻蝕掩膜必須為挺直，側壁角度>80° |
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3.15.2.4曝露面積 |
<15% |
|
3.15.2.5刻蝕深度 |
6-15um |
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3.15.2.6刻蝕速度 |
>3000A/min |
|
#3.15.2.7片內刻蝕深度均勻性 |
<±3% |
|
#3.15.2.8片與片刻蝕深度均勻性 |
<±5% |
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3.15.2.9對應光刻膠選擇比 |
>3:1 |
|
3.15.2.10角度 |
>85° |